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功率半导体器件[实用新型专利]

来源:华佗小知识
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:功率半导体器件专利类型:实用新型专利

发明人:顾悦吉,闻永祥,刘琛,刘慧勇申请号:CN201320143758.1申请日:20130326公开号:CN203288595U公开日:20131113

摘要:本实用新型提供了一种功率半导体器件,包括:N型掺杂的半导体衬底,该半导体衬底的晶向为<100>;位于半导体衬底正面上的纵向掺杂均匀的第一外延层,第一外延层的掺杂类型和掺杂浓度与半导体衬底相同,半导体衬底和第一外延层共同作为IGBT器件的场截止区;位于第一外延层正面上的第二外延层,第二外延层的掺杂类型与第一外延层相同,第二外延层的掺杂浓度低于第一外延层;IGBT器件的基区、发射区、栅介质层和栅极结构,形成于所述第二外延层的正面;P型掺杂的集电区,位于所述场截止区的背面。本实用新型有利于降低IGBT器件的场截止区的制造难度,并能够避免碎片率高等问题。

申请人:杭州士兰集成电路有限公司

地址:310018 浙江省杭州市(下沙)经济技术开发区东区10号路308号

国籍:CN

代理机构:上海专利商标事务所有限公司

代理人:陆嘉

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