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半桥三电平直流变换器的电容电压控制策略

2021-05-06 来源:华佗小知识
2015年8 月 第30卷第16期 电 工技术学报 TRANSACT10NS OF CHINA ELECTR0TECHNICAL SOCIETY VO1.30 NO.16 Aug 2015 半桥三电平直流变换器的电容电压控制策略 周玮阳 虞晓阳 金 科 刘志军 (南京航空航天大学 江苏省新能源发电与电能变换重点实验室 南京 210016) 摘要 三电平(TL)直流变换器具有主开关管电压应力为输入电压一半的优点,适用于高压 输入场合。本文所研究的四开关半桥TL直流变换器可以实现一次侧开关管的宽范围软开关,而 且避免了钳位二极管和飞跨电容带来的可靠性问题。但是主电路以及控制电路的不对称可能造成 输入分压电容以及隔直电容的偏压,从而导致主功率管以及整流二极管电压应力增加 本文提出 了一种电容电压控制策略,通过调节正负半周占空比以及相位差,实现输入分压电容和隔直电容 的电压控制,提高变换器运行的可靠性。最后研制了一台输入800V、输出28V/2kW的原理样机, 实验结果验证了偏压理论分析的正确性以及电容电压控制策略的有效性。 关键词:半桥三电平 偏压 电容电压控制 占空比 相位差 中图分类号:TM46 Capacitor Voltage Control Strategy for Half-Bridge Three.Level Converter Zhou Weiyang Yu Xiaoyang Jin Ke Liu Zh ̄un (Jiangsu Key Laboratory of New Energy Generation and Power Conversion Nanjing University ofAeronautics and Astronautics Nanjing 210016 China) Abstract Three—level(TL)DC/DC converters apply especially to high—voltage input occasions for the reason that the voltage stress across the power switches is only half of the input voltageThe .four switches half-bridge TL converter studied in this paper can achieve wide range soft switching of the primary switches.Besides,it removes the clamped diodes and flying capacitor to ensure high reliability.However,the asymmetry of the main circuit and control circuit result in voltage unbalance among the input capacitors and blocking capacitor,which can result in high voltage stress of the power switches and the rectifier diodes.A novel capacitor voltage control strategy is proposed to realize voltage control and improve the reliability of the convener by regulating duty cycle and phase shift of the positive and negative hal ̄cycles.Finally,an input 800V output 28V/2kW prototype was built and tested in the lab.The experimental results validate the theoretical analysis of voltage unbalance and capacitor voltage control strategy. Keywords:Half-bridge three-level,voltage unbalance,capacitor voltage control,duty cyclephase shift , 0 引言 半桥三电平(Three Level,TL)变换器具有主开 关管电压应力低,主功率管可以实现软开关等优 点[1-7],因此非常适合应用于地铁动车辅助电源、船 舶供电等fs-10]高电压输入的功率变换场合。 文献[11,12]提出的四开关半桥TL直流变换器 如图1所示,分压电容可以钳位一次侧开关管,电 国家自然科 ̄(51007038、51377080),江苏省自然科学基金杰 出青年基金(BK20130036),霍英东教育基金会基础性研究课题 (131056),江苏省产学研联合创新资金一前瞻性联合研究项目 (BY2012016),光宝电力电子技术科研基金项目资助。 收稿日期2013-06.30改稿日期2013—10-29 路结构简单;没有钳位二极管和飞跨电容,避免了 可能出现的开关电容模态,可靠性高。在实际应用 第30卷第16期 周玮阳等 半桥三电平直流变换器的电容电压控制策略 57 中,由于控制电路、驱动电路以及主电路参数的差 1 电容偏压分析 本文以图1所示的变换器拓扑进行分析,图2 为变换器主要工作波形图。为了便于分析,这里假 设Dp为正半周的占空比,D 为负半周的占空比, f异,使得分压电容不均压,隔直电容电压不等于输 入电压的一半,一次侧开关管以及二次侧整流二极 管的电压应力增加,对变换器的安全可靠工作造成 影响,因此需要引入电容电压控制电路来均衡输入 分压电容电压以及保证隔直电容电压等于输入电压 为正半周续流时问, f为负半周续流时间, 的一半。 c l二 VDR1 Lf cd2 _一匡 VDR2 图1 四开关半桥三电平直流变换器 Fig.1 Four switches half-bridge TL converter 大多数三电平结构的变换器存在分压电容不均 压问题。对于非隔离三电平结构变换器中的输入分 压电容电压控制,文献『13,14]提出了一种方法,它 通过反馈分压电容电压,调整开关管的导通时间, 实现分压电容的均压,从而保证开关管电压均衡。 文献[15]中对于飞跨电容钳位隔离型三电平变换器 的分压电容电压控制,是通过控制飞跨电容电压, 调节正负半周占空比,实现输入分压电容均压。因 为在飞跨电容和输入分压电容并联模态可以钳位分 压电容。这两种方式均采用调节控制信号单沿来调 节占空比,从而实现调节每个半周期分压电容分别 输出的能量,均衡分压电容电压的目的。本文研究 的四开关半桥TL直流变换器,负载能量正半周由 输入源提供,而负半周由隔直电容提供,因此上述 文献提供的方法也可以用来控制隔直电容电压。但 是本文研究的变换器受控对象有两个,即隔直电容 和输入分压电容,因此需要找到另外一个自由度来 控制分压电容电压。由于半桥TL变换器一组开关 管驱动信号互补,这种单沿调制方式在调节占空比 的同时会影响到控制信号的相位差。 本文针对一次侧四开关TL结构,首先分别分 析正负半周占空比以及驱动信号相位差这两个自由 度对分压电容和隔直电容电压的影响,指出可以通 过调节这两个受控量校正各种原因造成的偏压现 象。然后提出了一种双沿调制电容电压控制策略, 最后给出实验结果,以验证理论分析和控制策略的 正确性。 为开关周期,VAB为桥臂AB点电压,fp为一次电流, 为输入电压, 为隔直电容Cb电压, 1、 2 分别为分压电容Cd1、Cd2电压,i f为滤波电感 f 电流,ivDR1、ivDR2为整流管VDR1、VDR2电流。 1 : :l l: l I ::: 1 : :- - _ _ ::: : ; i 『l f:  II Il  ll I VAB:  II!!  L —/ 。 ll l lJ ————.卜- |  I、— i ll ~ ●  l————一 f —._一一 ll —— — 一 、 ,一r ..—  lll  l¨  Il】j :t —一 。———— 一 — tVDR2《 —rⅧR1  lItI Tt ̄IIt3 Dn 9 Dpp 图2 四开关半桥三电平直流变换器主要工作波形 Fig.2 Key waveforms of four switches half-bridge TL converter 当变换器稳态工作时,主变压器磁通守恒。工 作模态如图3a、图3c所示,根据主变压器的磁通 平衡可得 ( 一 )Dpr ̄=VcuD (1) 在理想工作条件下,驱动完全对称,正负半周 占空比D。_D ,忽略死区,隔直电容Cb电压为 DpZi ̄= 当变换器工作在一次侧续流模态时,如图3b、 图3d所示,分压电容Cd1充放电时间相等 f= f, 续流阶段起始电流相等,因此 1、 2均为Vi./2。 l }斗j VDR2 58 电工技术学报 2015年8月 (b)[tl ̄t2]  lJ Q 占L一 RL V (d)[t6-tT] 图3变换器工作基本模态图 Fig.3 Operation modes of the converter 但在实际工作中,由于控制和驱动电路的延时 以及主功率管的特性不一致等因素造成D。≠ 、 Tpf#Tnf,导致分压电容和隔直电容电压不为 /2, 即存在偏压问题。如果分压电容不均压,会导致上 下桥臂开关管电压应力增加,可能导致开关管寿命 减短甚至损坏。而隔直电容电压不等于 /2则会导 致二次侧整流二极管的电压应力增加,器件发热不 均,严重情况下会导致电路损坏。 1.1 正、负半周占空比不等 当驱动正、负半周占空比不等时,如图4a所示, 即Dp≠D 时,由式(2)得,当Dp>D 时, 高 于 /2;反之,D。<J[) 时, 低于 /2。隔直电 容出现偏压问题。 1 :: l 2 : 1 | _ ● r- IfI: I I I VAB 一 l : 。。’ l ll I  lI },÷ } l — ——■ t ;;; \t ~堡 I。t9 3 f (a)正、负半周占空比不等 ll l . IlI l l I { lI ll ll l】 7 ll ll 叫 一 l lii、 f6/ f fJI^f }3 \ . (b)正负半周相位差不等于180。 (b)正、负半周相位差不等于180。 图4偏压的情况 Fig.4 Voltage unbalance operation conditions 假设D。>D ,此时 高于 /2。忽略软开关 的过程,稳态运行时,由于隔直电容Cb在整个周期 P 内安秒积为零,分压电容Cdl在续流阶段 f、 f 的安秒积为零,所以隔直电容在J[)。 、D 内的安 秒积也为零,因此在D。 、D 内电流平均值 l、 。满足 : <1 (3)1 一一 Dp 、D 内电流变化量Alp、△ 为 式中,上为滤波电感; 为输出电压; 为变压器 一次、二次电流比。由式(4)可得,占空比小的半 周期D 电感电流纹波大,平均值大,因此正负半周 续流阶段 f、 f起始电流lp<I.,输入分压电容存 在不均压现象。 由正、负半周续流时间相等7pf= f,根据稳态 时正、负半周续流时段内,Cd 的安秒积相等,即 /P2 f:=IN2Tnf (5) 可得Ip2=IN2。其中, 2为7.f内平均电流,1N2为 f 内平均电流。所以稳态时,输入分压电容Cd1电压 一第30卷第16期 周玮阳等 半桥三电平直流变换器的电容电压控制策略 59 必须高于隔直电容Cb电压,使得一次电流在正半周 上升,负半周下降,最终 2=zN2。 结论:当驱动出现正、负半周占空比不等时, 隔直电容电压不等于 /2。正半周占空比大于负半 周,隔直电容电压高于输入电压的一半,输入分压 电容Cd 电压高于隔直电容电压。 1.2 正、负半周相位差不等于180 ̄ 若驱动正、负半周相位差不等于180o,但是占 空比相等(D。 )时,如图4b所示,由式(2) 可以得到隔直电容电压Vcb=Vi /2。因此,正、负半 周相位差并不影响隔直电容的电压。 但是如果正负半周相位差不等于180。,则正、 负半周续流阶段时间不等。假设驱动信号正、负半周 相位差为l80。一 >0),续流时间 f、 f分别为 即Zpf'(Tof。同时,正、负半周续流阶段的起始电流 相等厶 。根据稳态时正、负半周续流时段内,分 压电容 1安秒积为零,得 2>,N2,因此输入分压 电容Cd,电压必须大于隔直电容 电压,使得在 阶段内电流上升,在 f阶段内电流下降,从而平 均电流 2> 2,所以 1> /2。 结论:当驱动出现正、负半周相位差不等于180。 时,相位差越小,输入分压电容 电压越高。隔 直电容电压不受影响。 通过以上分析可知,正、负半周占空比不等会 导致隔直电容偏压,同时引起输入分压电容分压不 均;但是正、负半周相位差不等于180。只会导致分 压电容分压不均。因此,对于主电路参数不一致以 及控制电路的延时等原因引起的隔直电容偏压和输 入分压电容不均压的问题,可以通过调节正、负半 周占空比以及相位差来校正。 2 电容电压控制策略 针对一次侧四开关结构的三电平变换器的隔直 电容和输入分压电容偏压问题,结合上述分析,本 文提出了一种电容电压控制策略:隔直电容电压控 制通过修正正、负半周的占空比来实现;而输入分 压电容不均压可能由正、负半周占空比以及相位差 两方面原因造成,因此为了确保输入分压电容均压 必须首先校正隔直电容电压。当正、负半周占空比 被隔直电容控制电路校正后,只需调整正、负半周的 相位差,即可实现输入分压电容均压的目的。 图5所示为电容电压控制电路主要工作波形 = = 图。在控制电路中,三角载波 1—2 一2 一  一。 和 幅值相 等,相位相差180。,输出电压调节器误差信号 D D A 分别与 一 和 十 RI2交截产生控制信号Q2 和 Q4 dri,Q2 dri和Q4 dri脉宽相等,相位差等于180。, 波形如图5中Drive。所示。理想情况下,控制信号 经过驱动电路送到功率管栅源极的信号完全对称,一。 一。  主电路也完全对称,隔直电容和输入分压电容电压 均为输入电压的一半。但实际工作中,由于驱动电 路的延时以及主电路的不对称等原因会造成实际功 率管栅源极的驱动信号脉宽不等、相位差不等于 180。,那么隔直电容和输入分压电容就会出现偏压 的工作状态。 !! !! !! 入l !A4 / /、\J / \ /2。 ,EA№Ⅱ。 2 7c  l_ t。 /∞l , A6/VEA _I I l! / ;i ’ 、 I  0 !/ T,EA5 — l 一d  l l QI4I-出i l l _d ; I Q4_dri col 网 l l l l Q4_d I l :『] 3 I 厂 』4 l l ∞f ] I I :bt n n ] 厂1 oh _1 ] n ∞f 困 Q4。 lQz_dr4 I Q4_dri 7c/2 3,2 tot 图5 电容电压控制主要波形图 Fig.5 Key waveforms of capacitor voltage control 下面分析该控制电路的工作过程。图6所示为 分压电容和隔直电容电压控制电路框图。 为变 换器输出电压采样, ref为输出电压的基准电压, Vcb f为隔直电容电压采样, i f为输入电压采样, d f为输入分压电容cd 电压采样。 A 为输出 电压调节器误差输出, cb为隔直电容电压调节 器误差输出, 为输入分压电容cd。电压调节 器误差输出。输出电压调节器的误差信号 %加 60 电工技术学报 2015年8月 上VEACo得到VEAl,减去VEACb得到VEA2。VEAl加 4通过下降沿捕获分别得到Clockl、Clock4,A2、 通过上升沿捕获分别得到Clock2、Clock3。Clockl、 上分压电容误差调节器输出 A cdA Cd得到VEA3,减去 3得到 A4; A2加上 A cd得到 A5,减去 d i,Clock3、 Clock2通过RS触发器生成驱动信号Q2得到 A6。 A3、 A4分别与 A5、 A6交截生成 、 Clock4通过RS触发器生成Q4dri。Qz、Q4分别 2, 分别与 RI2交截生成 3、 4。 1、 通过反相互补生成Ql dri、Q3 dri。 图6 电容电压控制电路框图 Fig.6 Capacitor voltage control circuit diagram 在隔直电容电压控制电路中,如果 /2,那么 A 为正,使 Al增大, 低于 由上述分析可知,隔直电容电压控制电路通过 A2减小, 双沿调制,没有改变两路驱动信号之间的相位差; 而输入分压电容均压电路通过移相控制,也不改变 占空比大小。隔直电容电压控制电路和分压电容均 从而使Q:dri的占空比减小,Q4 dri的占空比增大, 波形如图5中Drive2所示。通过对Q2 dri占空比的 减小和对Q 相反,如果 减小, 空比减小, 占空比的增大,使得 迅速上升。 压电路分别只调节一个受控量,因此不会出现相互 耦合调节的现象,更容易趋于稳定。 高于 /2,那么 A 为负,使 A1 迅速下降。最终,Vcb=Vi /2,从而校 A2增大,Q dri的占空比增大,Q dri的占 3 实验结果 为了验证理论分析和电容电压控制策略,实验 室研制了一台四开关三电平直流变换器原理样机。 系统参数如下:输入电压vi =800V;输出电压 Vo=28V;输出功率P。=2kW;Q1~Q4:IRFP460A; VDRl~VDR2:STPS200170TV1Y;分压电容Cd1= cd2=470×2 /450V;隔直电容Cb=4.7gF/700V。 正了 的偏压现象。 此时,隔直电容已经校正完毕。在输入分压电 容均压电路中,如果%d1高于 /2,那么 A cd 为负,使 A3和 A5减小, A 和 A6增大, 和 3脉宽增大,A2和 4脉宽减小。Q2 dri上升沿和 下降沿同时向后移动,Q dri上升沿和下降沿同时向 前移动,波形如图5中Drive3所示。正半周的续流 时间增加,负半周的续流时间减少,Cd 的放电时问 为了验证正、负半周占空比以及相位差对分压 电容以及隔直电容电压的影响,实验中分别向分压 电容电压调节器和隔直电容电压调节器输出端注入 固定电平,构造占空比和相位差不对称情况。图7所 示为偏压工作下的主要波形图。图7a给出了正半周 占空比大于负半周的变换器工作波形:1,AB正半周为 ,增加,充电时间减少, 增大, 4迅速下降。相反,如果 cld1低于 /2,那么 A cd为正,使 A3和 A5 A4和 A6减小, 1和 3脉宽减小, 2和 脉宽增大。Q2 dri上升沿和下降沿同时向前移动, Q4 dri上升沿和下降沿同时向后移动, d1迅速上升。 最终,Vcd1=vi /2,从而实现Cd1和cd2均压控制。 负半周电压高于Vin/2;f。在负半周峰值大于正半 高于 /2, d。高于 ,所以上桥臂开关 周; 第30卷第16期 周玮阳等 半桥三电平直流变换器的电容电压控制策略 61 管Ql电压应力高于下桥臂开关管Q3。图7b给出了 正、负半周驱动相位差小于180。的变换器工作波形: VAB正半周为 ,负半周电压高于vi /2:VCb=Vi /2, f  lVAB(5oov/l ̄)一I 一1 l f  【. ^^ M—一 ~ /p00t /{各).^,一 。~ 不受相位差影响, 1> /2,所以上桥臂开关管 一 MMMh ——1 ~ M Q。电压应力高于下桥臂开关管Q3。同时,由于负半 周续流结束后,一次电流反向不能实现一次侧开关 管的软开关,Qs关断、Q 开通是硬开关的过程,1,A 出现电压振荡。图7a、图7b验证了偏压运行的恶 . IvDRl(1OOV/格) 赫I100V/ ̄1 ^^ ]j  ’ I 。.. t(2kts/// ̄) 图8 引入电容电压控制实验波形 Fig.8 Experimental results with capacitor voltage 劣情况以及偏压理论分析的正确性。 厂■——]:。] vm(50 0v/格)广.-———] —一 + L——1 ..__j L ————■]Jp l1 )— ~. {  ’VCdl(200V/ ̄¥) : 、 j (400V// ̄), dnnv,撼“Vcb(200V/ ̄) f 1 r口J  } llf  一.400,..一V/ ̄)r 【 厂.r t(21.ts/ ̄) (a)正负半周占空比不等 ——]。 vI 蚰(500V,}i 格)rIr一  __———]  l. \ip(1oA/格)/ \ == Cdl(2o0v/格 — ~ }r-- {l f=描 ;7 f t(21.ts/ ̄/ ̄) (b)正负半周相位差不等于180。 图7偏压工作波形 Fig.7 Experimental results of voltage unbalance 在图7所示的正、负半周占空比和相位差不对 称程度下,图8给出了引入电容电压策略后的变换 器工作波形。从图8可以看出,1,AB和i。正负半周 对称, dl和 均等于 /2,上、下桥臂开关管 电压应力相等。二次侧整流二极管电压应力也相等。 而二极管上的电压振荡是由于二极管结电容和变压 器漏感谐振造成,无可避免。实验波形验证了电容 电压控制策略的有效性。 control strategy 4 结论 本文针对四开关半桥TL直流变换器可能出现 的输入分压电容和隔直电容的偏压运行问题,提出 了一种双沿调制的电容电压策略,通过调节正、负 半周占空比以及相位差,实现分压电容和隔直电容 的电压控制,提高变换器运行的可靠性。实验结果 验证了本文理论分析和电容电压控制策略的有效性。 参考文献 [1】 Nabae A,Takahashi I,Akagi H.A new neutral—clamped PWM inverter[J].IEEE Transaction on Industry App— lications,1981,17(5):518-523. 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