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专利名称：包括写辅助电路的SRAM和操作该SRAM的方法专利类型：发明专利发明人：崔在承
申请号：CN201110449300.4申请日：20111229公开号：CN102543166A公开日：20120704
摘要：本发明提供一种包括写辅助电路的SRAM和操作该SRAM的方法。描述了一种静态随机存取存储器(SRAM)，所述SRAM包括位单元，所述位单元与字线相连接、连接在位线和互补位线之间并接收来自写辅助电路的内部电压。所述写辅助电路包括功率控制电路和补偿电路，所述功率控制电路响应于至少一个控制信号来对内部电压线进行充电/放电以提供所述内部电压，所述补偿电路控制所述内部电压的电平。
申请人：三星电子株式会社
地址：韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地
国籍：KR
代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司
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