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一种NbO掺杂BaTiO基片式PTC热敏陶瓷及其制备方法[发明专利]

来源:华佗小知识
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:一种NbO掺杂BaTiO基片式PTC热敏陶瓷及其制

备方法

专利类型:发明专利

发明人:程绪信,崔海宁,陈晓明申请号:CN201810759159.X申请日:20180711公开号:CN108793995A公开日:20181113

摘要:本发明提供一种NbO掺杂BaTiO基片式PTC热敏陶瓷及其制备方法。该样品的组成化学式为Ba(TiNb)O+ SiO,其中m=0.994mol%~1.018mol%;x=0.2mol%~0.8mol%;

y=0.01mol%~0.10mol%。本发明采用湿法流延工艺技术制备出NbO掺杂BaTiO基片式PTC生坯体,通过还原‑再氧化的共烧结工艺制备出片式PTC热敏陶瓷。而且通过B位施主替换法,引入NbO作为施主掺杂剂,对样品进行掺杂改性和性能优化,得到了较低电阻的片式PTC热敏电阻,且还原气氛烧结有利于拓宽施主掺杂剂的半导化区间。采用优化和样品的化学计量比,制作出高偏化学计量比(Ba/Ti比位于1.003~1.006范围内)的片式PTC热敏陶瓷,这样不仅可以获得较低的室温电阻而且还可以获得较大的升阻比,解决了该样品的低电阻和高升阻比难以同时匹配的相互矛盾难题。

申请人:肇庆学院

地址:526061 广东省肇庆市端州区东岗肇庆学院

国籍:CN

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