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专利名称：同时模式双波段碲镉汞探测器专利类型：实用新型专利
发明人：叶振华,刘棱枫,崔爱梁,张伟婷,丁瑞军,何力申请号：CN201920708752.1申请日：20190517公开号：CN209929317U公开日：20200110
摘要：本专利公开了一种同时模式双波段碲镉汞探测器，通过减小碲镉汞长波层厚度可使器件制备过程中刻蚀深度变小，因为刻蚀后碲镉汞长波层侧壁有一定坡度，因此减小刻蚀深度可以缩小像元中心距。减小碲镉汞长波层厚度会导致光吸收变少，在钝化层上生长金属层有利于反射电磁波从而提高碲镉汞长波层的光吸收，在减小碲镉汞长波层厚度的同时保证了良好的光吸收。
申请人：中国科学院上海技术物理研究所
地址：200083 上海市虹口区玉田路500号
国籍：CN
代理机构：上海沪慧律师事务所
代理人：郭英
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